Electronic Structure of Semiconductor Interfaces (eBook)
X, 150 Seiten
Springer Nature Switzerland (Verlag)
978-3-031-59064-1 (ISBN)
This concise volume examines the characteristic electronic parameters of semiconductor interfaces, namely the barrier heights of metal-semiconductor or Schottky contacts and the valence-band discontinuities of semiconductor-semiconductor interfaces or heterostructures. Both are determined by the same concept, namely the wave-function tails of electron states overlapping a semiconductor band gap directly at the interface. These interface-induced gap states (IFIGS) result from the complex band structure of the corresponding semiconductor. The IFIGS are characterized by two parameters, namely by their branch point, at which their charge character changes from predominantly valence-band- to conduction-band-like, and secondly by the proportionality factor or slope parameter of the corresponding electric-dipole term, which varies in proportion to the difference in the electronegativities of the two solids forming the interface. This IFIGS-and-electronegativity concept consistently and quantitatively explains the experimentally observed barrier heights of Schottky contacts as well as the valence-band offsets of heterostructures. Insulators are treated as wide band-gap semiconductors.
Winfried Mönch received a Dr.rer.nat. degree from the Georg-August-University of Göttingen in 1961. He spent three years in the Semiconductor Department of the AEG Research Institute Frankfurt-Main before moving to the RWTH Aachen University. There he was awarded the venia legendi for physics in 1968 and became an Associate Professor two years later. In 1974 he was appointed Professor at the University of Duisburg (since 2003 University of Duisburg-Essen) and retired in 1999. He was the first Walter Schottky Visiting Professor at Stanford University in 1981 and received the E.W. Müller Award 1984 from the University of Wisconsin-Milwaukee. He has authored two monographs on semiconductor surfaces and interfaces, which have been published in the Springer Series in Surface Sciences.
Erscheint lt. Verlag | 14.6.2024 |
---|---|
Reihe/Serie | Synthesis Lectures on Engineering, Science, and Technology |
Zusatzinfo | X, 150 p. 123 illus., 65 illus. in color. |
Sprache | englisch |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Chemie |
Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Atom- / Kern- / Molekularphysik | |
Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
Technik ► Maschinenbau | |
Schlagworte | Band gap • band structure • Interface-induced gap states • metal semi-conductor • Semiconductor interfaces |
ISBN-10 | 3-031-59064-3 / 3031590643 |
ISBN-13 | 978-3-031-59064-1 / 9783031590641 |
Haben Sie eine Frage zum Produkt? |
Größe: 5,9 MB
DRM: Digitales Wasserzeichen
Dieses eBook enthält ein digitales Wasserzeichen und ist damit für Sie personalisiert. Bei einer missbräuchlichen Weitergabe des eBooks an Dritte ist eine Rückverfolgung an die Quelle möglich.
Dateiformat: PDF (Portable Document Format)
Mit einem festen Seitenlayout eignet sich die PDF besonders für Fachbücher mit Spalten, Tabellen und Abbildungen. Eine PDF kann auf fast allen Geräten angezeigt werden, ist aber für kleine Displays (Smartphone, eReader) nur eingeschränkt geeignet.
Systemvoraussetzungen:
PC/Mac: Mit einem PC oder Mac können Sie dieses eBook lesen. Sie benötigen dafür einen PDF-Viewer - z.B. den Adobe Reader oder Adobe Digital Editions.
eReader: Dieses eBook kann mit (fast) allen eBook-Readern gelesen werden. Mit dem amazon-Kindle ist es aber nicht kompatibel.
Smartphone/Tablet: Egal ob Apple oder Android, dieses eBook können Sie lesen. Sie benötigen dafür einen PDF-Viewer - z.B. die kostenlose Adobe Digital Editions-App.
Buying eBooks from abroad
For tax law reasons we can sell eBooks just within Germany and Switzerland. Regrettably we cannot fulfill eBook-orders from other countries.
aus dem Bereich