Silizium-Halbleitertechnologie
Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
Seiten
2014
|
6., korr. und verb. Aufl. 2014
Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH (Verlag)
978-3-8348-1335-0 (ISBN)
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978-3-8348-1335-0 (ISBN)
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Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Lehrbuch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.
Ein Lehrbuch zu den grundlegenden Verfahren der Mikroelektronik und Integrationstechniken. Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.
In der 6. Auflage ...
Ein Lehrbuch zu den grundlegenden Verfahren der Mikroelektronik und Integrationstechniken. Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.
In der 6. Auflage ...
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann ist Leiter des Fachgebietes Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Messtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
Herstellung von Siliziumscheiben - Oxidation des dotierten Siliziums - Lithografie - Ätztechnik - Dotiertechniken - Depositionsverfahren - Metallisierung und Kontakte - Scheibenreinigung - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration - Erweiterungen zur Höchstintegration - Bipolar-Technologie - Montage integrierter Schaltungen - Atomic Layer Deposition
| Erscheint lt. Verlag | 23.9.2014 |
|---|---|
| Zusatzinfo | XI, 263 S. 160 Abb. Mit 37 Aufgaben und Lösungen. |
| Verlagsort | Wiesbaden |
| Sprache | deutsch |
| Maße | 168 x 240 mm |
| Gewicht | 476 g |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | 10 nm • Anforderung • Anwender • Atomic • Ätzschritt • Ätztechnologie • Ausstattungen • Bipolar • Bipolarschaltung • Bipolartechnik • Bipolar-Technologie • Chip • Chipherstellung • Depositionsverfahren • Development • Dielektrika • Dielektrikum • dotiert • Dotiertechnik • Dotiertechniken • Dotierung • Dotierungstechnik • Dotierungstechniken • Dotierungstechnologie • Dotierungstechnologien • Einzelprozess • Elektronisch • Entwicklung • Halbleiter • Halbleitertechnologie • Hardware • Herstellung • High-k-Dielektrikum • Höchstintegration • Implantation • Integration • Integrationstechniken • Integrationstechniker • Integriert • Layer • Lithografie • Messtechnik • Metallisierung • Mikro • Mikroelektronik • mikroelektronisch • Montage • Montagetechnik • Montagetechnologie • MOS • MOS-Schaltung • MOS-Technologie • MOS-Technologien • nanometer • Naturwissenschaft • Optische Lithografie • Oxidationen • PECVD • PECVD-Abscheidung • Physik • Physiker • Prozess • Prozesse • Prüfung • R&D • reproduzierbar • Rohsilizium • Schaltung • Schaltungen • Sensoren • Sensorik • Silicium • Silicium / Silizium • Silizium • Silizium-Halbleitertechnologie • Siliziumscheibe • Siliziumscheiben • Struktur • Strukturgröße • Systeme • technisch • Technologie • Verfahren |
| ISBN-10 | 3-8348-1335-4 / 3834813354 |
| ISBN-13 | 978-3-8348-1335-0 / 9783834813350 |
| Zustand | Neuware |
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