Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Seiten
2016
|
Softcover reprint of the original 1st ed. 2008
Springer-Verlag New York Inc.
978-1-4899-7765-6 (ISBN)
Springer-Verlag New York Inc.
978-1-4899-7765-6 (ISBN)
Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment focuses on silicon devices and includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices.
Material Properties and Transport Physics.- Breakdown Voltage.- Schottky Rectifiers.- P-i-N Rectifiers.- Power MOSFETs.- Bipolar Junction Transistors.- Thyristors.- Thyristors.- Synopsis.
| Erscheinungsdatum | 01.07.2016 |
|---|---|
| Zusatzinfo | XXIII, 1069 p. |
| Verlagsort | New York |
| Sprache | englisch |
| Maße | 155 x 235 mm |
| Themenwelt | Naturwissenschaften ► Chemie ► Analytische Chemie |
| Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
| ISBN-10 | 1-4899-7765-1 / 1489977651 |
| ISBN-13 | 978-1-4899-7765-6 / 9781489977656 |
| Zustand | Neuware |
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