Fundamentals of Power Semiconductor Devices (eBook)
XXIII, 1069 Seiten
Springer US (Verlag)
978-0-387-47314-7 (ISBN)
Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment here focuses on silicon devices but includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices. The book will appeal to practicing engineers in the power semiconductor device community.
Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment focuses on silicon devices and includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices.
Dedication 5
Preface 6
Contents 14
Introduction 23
Material Properties and Transport Physics 45
Breakdown Voltage 112
Schottky Rectifiers 188
P-i-N Rectifiers 223
Power MOSFETs 298
Bipolar Junction Transistors 526
Thyristors 643
Insulated Gate Bipolar Transistors 755
Synopsis 1044
Index 1069
| Erscheint lt. Verlag | 2.4.2010 |
|---|---|
| Zusatzinfo | XXIV, 1072 p. 450 illus. |
| Verlagsort | New York |
| Sprache | englisch |
| Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie |
| Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
| Schlagworte | bipolar junction transistor • field-effect transistor • Leistungsfeldeffekttransistor • metal oxide semiconductur field-effect transistor • Power Electronics • Schottky rectifiers • Semiconductor Devices • silicon devices • Thyristor • Transistor • transport physics |
| ISBN-10 | 0-387-47314-9 / 0387473149 |
| ISBN-13 | 978-0-387-47314-7 / 9780387473147 |
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