Wasserstoff-induzierte Silizium-Schichtabtrennung durch Implantations- und Plasmaprozesse für die Herstellung von SOI-Substraten
Seiten
2007
Logos Berlin (Verlag)
978-3-8325-1808-0 (ISBN)
Logos Berlin (Verlag)
978-3-8325-1808-0 (ISBN)
- Titel ist leider vergriffen;
keine Neuauflage - Artikel merken
Der Einsatz von Silicon-on-Insulator (SOI)-Substraten hat sich mittlerweile bei zahlreichen elektronischen Halbleiterbauelementen etabliert. Zur Herstellung der dünnen Halbleiterschicht auf einem Isolatorsubstrat stellt die Wasserstoff-induzierten Schichtabtrennung eine interessante Möglichkeit dar, die mit dem Smart-Cut Prozess industriell angewandt wird.
In der vorliegenden Arbeit wird zunächst der zugrunde liegende Mechanismus dieses Herstellungsprozesses untersucht. Insbesondere wird die thermische Evolution Wasserstoff-induzierter Defekte nach der Ionenimplantation und die Wechselwirkung von Wasserstoff mit Silizium betrachtet.
Zur Reduzierung der für die Delamination notwendig hohen und kostspieligen Wasserstoff-Ionenimplantation wird das Verfahren weiterentwickelt. Es wird untersucht und gezeigt wie die Implantationsdosis durch eine anschließende Wasserstoff-Plasmabehandlung reduziert werden kann. Da der Einfluss der Temperatur wird dabei als ein entscheidender Faktor für die Art der Silizium-Wasserstoff-Defektbildung hervorgehoben.
Abschließend werden die Prinzipien des experimentell erforschten, erweiterten Verfahrens erläutert.
In der vorliegenden Arbeit wird zunächst der zugrunde liegende Mechanismus dieses Herstellungsprozesses untersucht. Insbesondere wird die thermische Evolution Wasserstoff-induzierter Defekte nach der Ionenimplantation und die Wechselwirkung von Wasserstoff mit Silizium betrachtet.
Zur Reduzierung der für die Delamination notwendig hohen und kostspieligen Wasserstoff-Ionenimplantation wird das Verfahren weiterentwickelt. Es wird untersucht und gezeigt wie die Implantationsdosis durch eine anschließende Wasserstoff-Plasmabehandlung reduziert werden kann. Da der Einfluss der Temperatur wird dabei als ein entscheidender Faktor für die Art der Silizium-Wasserstoff-Defektbildung hervorgehoben.
Abschließend werden die Prinzipien des experimentell erforschten, erweiterten Verfahrens erläutert.
| Sprache | deutsch |
|---|---|
| Maße | 145 x 210 mm |
| Einbandart | Paperback |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | Halbleitertechnologie • HC/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik • Ionenimplantation • Plasmaprozess • Silicon-on-insulator • Smart-Cut |
| ISBN-10 | 3-8325-1808-8 / 3832518088 |
| ISBN-13 | 978-3-8325-1808-0 / 9783832518080 |
| Zustand | Neuware |
| Haben Sie eine Frage zum Produkt? |
Mehr entdecken
aus dem Bereich
aus dem Bereich
Wegweiser für Elektrofachkräfte
Buch | Hardcover (2024)
VDE VERLAG
CHF 67,20
