Charakterisierung und Modellierung von Aluminium–Galliumnitrid/Galliumnitrid–Heterostrukturfeldeffekttransistoren
Seiten
2007
|
1., Aufl.
Shaker (Verlag)
978-3-8322-6342-3 (ISBN)
Shaker (Verlag)
978-3-8322-6342-3 (ISBN)
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| Reihe/Serie | Berichte aus der Elektrotechnik |
|---|---|
| Sprache | deutsch |
| Maße | 148 x 210 mm |
| Gewicht | 203 g |
| Einbandart | Paperback |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | AlGaN/GaN-HEMTs • Ersatzschaldbildmodell • Großsignalmodellierung • HC/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik |
| ISBN-10 | 3-8322-6342-X / 383226342X |
| ISBN-13 | 978-3-8322-6342-3 / 9783832263423 |
| Zustand | Neuware |
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