Chenming Hu is TSMC Distinguished Chair Professor Emeritus at the University of California, Berkeley. He was the Chief Technology Officer of TSMC. He received the US Presidential Medal of Technology and Innovation from Pres. Barack Obama for developing the first 3D thin-body transistor FinFET, MOSFET reliability models and leading the development of BSIM industry standard transistor model that is used in designing most of the integrated circuits in the world. He is a member of the US Academy of Engineering, the Chinese Academy of Science, and Academia Sinica.He received the highest honor of IEEE, the IEEE Medal of Honor, and its Andrew Grove Award, Solid Circuits Award, and the Nishizawa Medal. He also received the Taiwan Presidential Science Prize and UC Berkeley's highest honor for teaching - the Berkeley Distinguished Teaching Award.
FinFET/GAA Modeling for IC Simulation and Design: Using the BSIM-CMG Standard, Second Edition is the first to book to explain FinFET modeling for IC simulation and the industry standard - BSIM-CMG - describing the rush in demand for advancing the technology from planar to 3D architecture as now enabled by the approved industry standard. The book gives a strong foundation on the physics and operation of FinFET, details aspects of the BSIM-CMG model such as surface potential, charge and current calculations, and includes a dedicated chapter on parameter extraction procedures, thus providing a step-by-step approach for the efficient extraction of model parameters. With this book, users will learn Why you should use FinFET, The physics and operation of FinFET Details of the FinFET standard model (BSIM-CMG), Parameter extraction in BSIM-CMG FinFET circuit design and simulation, and more.Authored by the lead inventor and developer of FinFET and developers of the BSIM-CMG standard model, providing an expert's insight into the specifications of the standardA new edition of the original groundbreaking book on the industry-standard FinFET model-BSIM-CMGNew to This EditionIncludes a new chapter providing a comprehensive introduction to GAAFET, including motivations, device concepts, structure, benefits, and the industry standard GAAFET modelCovers the most recent developments in the BSIM-CMG modelPresents an updated RF modeling of FinFET using the BSIM-CMG model including parameter extractionIncludes a new chapter on cryogenic modeling
Erscheint lt. Verlag | 30.8.2024 |
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Sprache | englisch |
Themenwelt | Technik ► Bauwesen |
ISBN-10 | 0-323-95823-0 / 0323958230 |
ISBN-13 | 978-0-323-95823-3 / 9780323958233 |
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Größe: 23,4 MB
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