Optimierung der Stickstoffkonzentrationen in Gatedielektrika und -elektroden für fortschrittliche CMOS-Technologien
Seiten
2005
|
1., Aufl.
Shaker (Verlag)
978-3-8322-3629-8 (ISBN)
Shaker (Verlag)
978-3-8322-3629-8 (ISBN)
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- 2005/1
| Reihe/Serie | Erlanger Berichte Mikroelektronik ; 2005/1 |
|---|---|
| Sprache | deutsch |
| Maße | 148 x 210 mm |
| Gewicht | 309 g |
| Einbandart | Paperback |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | Boron penetration • Gate electrode • HC/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik • Low-pressure rapid thermal oxidation in N2O • Nitrogen implantation • Reliability of ultra-thin nitrided gateoxides |
| ISBN-10 | 3-8322-3629-5 / 3832236295 |
| ISBN-13 | 978-3-8322-3629-8 / 9783832236298 |
| Zustand | Neuware |
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