Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
Seiten
2020
CRC Press (Verlag)
978-0-367-57436-9 (ISBN)
CRC Press (Verlag)
978-0-367-57436-9 (ISBN)
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
Yue Hao, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang are affiliated with Xidian University, China.
Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
| Erscheinungsdatum | 01.07.2020 |
|---|---|
| Verlagsort | London |
| Sprache | englisch |
| Maße | 178 x 254 mm |
| Gewicht | 771 g |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| ISBN-10 | 0-367-57436-5 / 0367574365 |
| ISBN-13 | 978-0-367-57436-9 / 9780367574369 |
| Zustand | Neuware |
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