Professor Kazuo Nakajima is the professor emeritus of IMR Tohoku University, Japan as well as the Pao Yu-Kong Chair with Zhejiang University's State Key Laboratory of Silicon Materials, China. He is a member of the Japan Society of Applied Physics and the Japanese Association for Crystal Growth and series on the Editorial Board of the Journal of Crystal Growth. In 2006, Dr. Nakajima founded and chaired the 1st International Workshop on Science and Technology of Crystalline Si Solar Cells, a workshop that continues to be held annually. In 2007-2008, he chaired the 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4). For his achievements of the crystal growth, the Japanese Association for Crystal Growth awarded him 'The 12th Achievement Award & Isamu Akasaki Award” at 2017, and the International Organization for Crystal Growth (IOCG) awarded him 'Laudise Prize” at 2019. He has written over 16 books and handbooks and published over 350 papers, as well as being the inventor or co-inventor of 64 registered patents in the areas of III-V liquid phase epitaxial growth, crystal growth for semiconductors, optical devices, solar cells and plastic deformation.
Crystal Growth of Si Ingots for Solar Cells Using Cast Furnaces is the first book written to both comprehensively describe these concepts and technologies and compare the strengths and weaknesses of various techniques. Readers will learn about the basic growth and characterization of Si crystals, including sections on the history of cast methods for Si ingots for solar cells. Methods discussed include the dendrite cast method, as well as other significant technologies, including the high-performance (HP) cast and mono-like cast methods. These concepts, growth mechanisms, growth technologies, and the problems that still need to be solved are all included in this comprehensive volume. - Covers the concept of crystal growth, providing an understanding of each growth method- Discusses the quality of Si ingot, mainly from the viewpoint of crystal defects and their control- Reviews fundamental characterization concepts to discern the quality of ingots and wafers- Discusses concepts and technologies to establish a low-temperature region in a Si melt using the NOC method in order to obtain a uniform and large Si single ingot with low stress
Erscheint lt. Verlag | 7.10.2019 |
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Sprache | englisch |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Chemie |
Naturwissenschaften ► Geowissenschaften ► Mineralogie / Paläontologie | |
Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
Technik ► Maschinenbau | |
ISBN-10 | 0-12-820070-7 / 0128200707 |
ISBN-13 | 978-0-12-820070-4 / 9780128200704 |
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Größe: 8,4 MB
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