Aluminum-based PVD rear-side metallization for front-junction nPERT silicon solar cells
Seiten
2015
TU Ilmenau Universitätsbibliothek (Verlag)
978-3-86360-111-9 (ISBN)
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Aluminum-based physical vapor deposition metallization for the rear side of front-junction nPERT silicon solar cells is presented. Single-layer Al metallization is compared with Al-Si (1 at% Si) alloy and multi-layer Al-based metallization in terms of Al-spiking, specific contact resistance and back-side reflection. Al-spiking is observed when a single-layer Al metallization is used. Using an Al-Si alloy metallization, Al-spiking is avoided, however, resulting in a strong Si-precipitation. A novel approach consisting of a multi-layer Al-Si/Al stack instead of single-layer Al or Al-Si alloy metallization is developed. Optimizing the thickness of the Al-Si layer in the Al-Si/Al stack significantly decreases Si-precipitation and suppresses the Al-spiking at the same time. In addition, the optimized Al-Si/Al stack showed sufficiently low specific contact resistance and high back-side reflection and this even with a significantly higher thermal stability than the single-layer Al metallization.
Erscheint lt. Verlag | 1.3.2015 |
---|---|
Reihe/Serie | Werkstofftechnik Aktuell ; 11 |
Verlagsort | Ilmenau |
Sprache | englisch |
Maße | 148 x 210 mm |
Gewicht | 300 g |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Metallisierungsschicht • Passivierung • PVD-Verfahren • Solarzelle • Solarzelle / PVD-Verfahren / Passivierung / Metallisierungsschicht |
ISBN-10 | 3-86360-111-4 / 3863601114 |
ISBN-13 | 978-3-86360-111-9 / 9783863601119 |
Zustand | Neuware |
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