Halbleiter-Leistungsbauelemente (eBook)
XXII, 383 Seiten
Springer Berlin (Verlag)
978-3-642-29796-0 (ISBN)
Professor Josef Lutz studierte Physik an der Universität Stuttgart, ab 1983 arbeitete er bei Semikron Elektronik in Nürnberg. Arbeitsschwerpunkte waren zuerst die Entwicklung von GTO-Thyristoren, dann die Entwicklung von schnellen Dioden. Er führte die Controlled Axial Lifetime (CAL) Diode ein und hält eine Reihe Patente im Gebiet schneller Dioden. 1999 promovierte er in Elektrotechnik an der Universität Ilmenau. Seit August 2001 ist er Professor für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit an der TU Chemnitz. Er ist Mitglied des Vorstandes des ZfM, des International Steering Committee der EPE, des Fachbeirats der PCIM und des Programmkomitees der ISPS. 2005 wurde er von der nordkaukasischen technischen Universität Stavropol zum Ehrenprofessor ernannt.
Professor Josef Lutz studierte Physik an der Universität Stuttgart, ab 1983 arbeitete er bei Semikron Elektronik in Nürnberg. Arbeitsschwerpunkte waren zuerst die Entwicklung von GTO-Thyristoren, dann die Entwicklung von schnellen Dioden. Er führte die Controlled Axial Lifetime (CAL) Diode ein und hält eine Reihe Patente im Gebiet schneller Dioden. 1999 promovierte er in Elektrotechnik an der Universität Ilmenau. Seit August 2001 ist er Professor für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit an der TU Chemnitz. Er ist Mitglied des Vorstandes des ZfM, des International Steering Committee der EPE, des Fachbeirats der PCIM und des Programmkomitees der ISPS. 2005 wurde er von der nordkaukasischen technischen Universität Stavropol zum Ehrenprofessor ernannt.
Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente Grundlagen.- Halbleiterbauelemente.- Aufbau- und Verbindungstechnik von Leistungsbauelementen.- Zerstörungsmechanismen in Leistungsbauelementen.- Durch Bauelemente verursachte Schwingungseffekte und elektromagnetische Störungen.- Leistungselektronische Systeme.- Sachwortregister.
| Erscheint lt. Verlag | 7.11.2012 |
|---|---|
| Zusatzinfo | XXII, 383 S. 298 Abb. |
| Verlagsort | Berlin |
| Sprache | deutsch |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Technik ► Maschinenbau | |
| Schlagworte | Bipolare Transistoren • Halbleiter • Halbleiterphysik • Halbleiterphysikalische Grundlagen • Herstellungstechnologie • IGBTs • MOSFET • MOS Transistoren • pn-Übergänge • Robustheit • Schnelle Dioden • Schottky-Dioden • SchwingungseffekteSiC Bauelemente • Superjunction Bauelemente • Systemintegration • Thyristoren • Zuverlässigkeit |
| ISBN-10 | 3-642-29796-X / 364229796X |
| ISBN-13 | 978-3-642-29796-0 / 9783642297960 |
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