Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente
Springer Berlin (Verlag)
978-3-642-88372-9 (ISBN)
1. Einleitung.- Literatur.- 2. Physikalische Eigenschaften des Galliumarsenids.- 2.1 Eigenschaften des reinen Galliumarsenids.- 2.2 Eigenschaften des dotierten Galliumarsenids.- Literatur.- 3. Galliumarsenid als Grundmaterial für elektronische Bauelemente.- 3.1 Dioden und Transistoren.- 3.2 Opto-elektronische Bauelemente.- 3.3 Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-) Bauelemente.- 3.4 Germanium-Galliumarsenid-Heterobauelemente.- Literatur.- 4. Herstellung und Prüfung des Galliumarsenid-Grundmaterials.- 4.1 Horizontale Kristallisation.- 4.2 Zugtechnik (Czochralski-Verfahren).- 4.3 Tiegelfreie Zonenschmelze.- 4.4 Epitaxie aus der Gasphase.- 4.5 Prüfung des Kristallmaterials.- Literatur.- 5. Diffusionstechnik.- 5.1 Diffusion aus der Gasphase.- 5.2 Diffusion aus der festen Phase.- 5.3 Maskierung.- Literatur.- 6. Legierungstechnik.- 6.1 Epitaxie aus der flüssigen Phase.- 6.2 Ohmsche Kontakte.- Literatur.- 7. Dioden.- Literatur.- 8. Bipolare Transistoren.- 8.1 npn Transistoren.- 8.2 pnp Transistoren.- 8.3 Vierschichtentransistoren.- Literatur.- 9. Feldeffekttransistoren.- 9.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 9.2 Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode.- 9.3 Feldeffekttransistoren mit Schottky-Kontakt.- Literatur.- 10. Opto-elektronische Bauelemente.- 10.1 Leuchtdioden.- 10.2 Injektionslaser.- Literatur.- 11. Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-)Bauelemente.- Literatur.- 12. Integrierte Bauelemente.- Literatur.
Erscheint lt. Verlag | 15.3.2012 |
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Reihe/Serie | Technische Physik in Einzeldarstellungen |
Zusatzinfo | VIII, 158 S. |
Verlagsort | Berlin |
Sprache | deutsch |
Maße | 155 x 235 mm |
Gewicht | 264 g |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Allgemeines / Lexika |
Technik | |
Schlagworte | Entwicklung • Fertigung • Industrie • Physik • Technologie |
ISBN-10 | 3-642-88372-9 / 3642883729 |
ISBN-13 | 978-3-642-88372-9 / 9783642883729 |
Zustand | Neuware |
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