Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-Speicherzellen
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Im Rahmen dieser Arbeit werden haftstellen-basierte Speicherzellen als mögliche Alternative zum bestehenden Floating-Gate Konzept untersucht. Hierbei wird zunächst mittels Simulation und ausgewählten Messverfahren das Verständnis der Funktionsweise vertieft. Der darauffolgende Abschnitt befasst sich mit der Verbesserung der elektrischen Eigenschaften, basierend auf Änderungen der verwendeten Materialien und dem räumlichen Aufbau. Abschließend erfolgt die Untersuchung der Anwendbarkeit des Zellkonzeptes in hochdichten Zellenfeldern.
| Reihe/Serie | Research at NaMLab ; 1 |
|---|---|
| Sprache | deutsch |
| Maße | 145 x 210 mm |
| Einbandart | Paperback |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | Halbleiter • Mikroelektronik • NAND Flash-Speicher • Speicher • Transistor |
| ISBN-10 | 3-8325-2748-6 / 3832527486 |
| ISBN-13 | 978-3-8325-2748-8 / 9783832527488 |
| Zustand | Neuware |
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