MBE-Wachstum von ZnMnSe zur Spininjektion in GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen

Tobias Leeb (Autor)

Buch | Softcover

214 Seiten

2009
Universitätsverlag Regensburg
978-3-86845-019-4 (ISBN)

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Elektronische Bauteile basieren seit langem auf der Verschiebung elektrischer Ladungen. Das junge Forschungsgebiet der Spinelektronik such nach Wegen, durch Ausnutzung des quantisierten magnetischen Moments der Ladungsträger, ihres Spins, neue Freiheitsgrade und Funktionen zu erschließen. Halbleiterheterostrukturen stellen geeignete Modellsysteme dar, um grundlegende Fragestellungen der Spinelektronik zu erforschen. Besonders reizvoll ist die Verbindung von magnetischen Halbleitern als Quelle spinpolarisierter Ströme mit niederdimensionalen Elektronensystemen, die höchste Ladungsträgerbeweglichkeiten aufweisen. Diese Arbeit gewährt Einblicke in die Entwicklung von Halbleiterheterostrukturen zur elektrischen Injektion spinpolarisierter Elektronen in ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) und stellt ein theoretisches Konzept vor, das den Nachweis der Spininjektion auf der Grundlage der den niederdimensionalen Systemen eigenen Quanteneffekte erbringt. Der Band behandelt erstmals die vielversprechende Kombination von GaAS/AIGaAs-2DEG-Mehrschichtsystemen höchster kristalliner Güte mit Kontakten aus semimagnetischem ZnMnSe, das eine nahezu vollständige Polarisation der Elektronenspins ermöglicht. Die hier gezeigten Messungen des quantisierten Transports sind ein Novum in diesem Materialsystem. Der Leser erfährt, wie sich mit optimierten Methoden des Kristallwachstum und der Grenzflächenpräparation in der Molekularstrahlepitaxie ein deutlicher Anstieg der Elektronenbeweglichkeit in der GaAS/AIGaAs-2DEG-Heterostruktur und eine geeignete energetische Leitungsbandanpassung am heteropolaren Übergang von ZnMnSe zu Ga(AI)As erreichen lässt.

Erscheint lt. Verlag	10.6.2009
Reihe/Serie	Dissertationsreihe Physik ; 2
Zusatzinfo	65 schw.-w. Abb., 5 schw.-w. Tab.
Sprache	deutsch
Maße	170 x 240 mm
Gewicht	532 g
Themenwelt	Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Festkörperphysik
	Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Theoretische Physik
	Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte	2DEG • AIGaAs • elektrische Injektion • Elektronik • Epitaxie • GaAs • Grenzflächenpräparation • Halbleiter • Halbleiterheterostruktur • Kristal • Kristall • Kristallwachstum • Ladungsträgerbeweglichkeit • magnetische Halbleiter • Mehrschichtsystem • Molekularstrahlepitaxie • Physik • [Physik, Astronomie] • Quanteneffekte • Spinelektronik • ZnMnSe • Zweidimensionales Elektronengas
ISBN-10	3-86845-019-X / 386845019X
ISBN-13	978-3-86845-019-4 / 9783868450194
Zustand	Neuware