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Point Defects in Semiconductors II.

Experimental Aspects

J. Bourgoin, M. Lannoo (Autoren)

1983
Springer Berlin (Hersteller)
978-3-540-11515-1 (ISBN)
CHF 59,95 inkl. MwSt
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Reihe/Serie Springer Series in Solid-State Sciences ; 35
Vorwort G. D. Watkins
Zusatzinfo 116 figs. XVI,295 pages.
Verlagsort Berlin
Sprache englisch
Gewicht 610 g
Einbandart Leinen
Themenwelt Naturwissenschaften Geowissenschaften Mineralogie / Paläontologie
Naturwissenschaften Physik / Astronomie Festkörperphysik
ISBN-10 3-540-11515-3 / 3540115153
ISBN-13 978-3-540-11515-1 / 9783540115151
Zustand Neuware
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