Rare-Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications (eBook)
XVI, 355 Seiten
Springer Netherland (Verlag)
978-90-481-2877-8 (ISBN)
This book summarises recent progress in the science and technology of rare-earth doped nitrides, providing a snapshot of the field at a critical point in its development. It is the first book on rare-earth doped III-Nitrides and semiconductors.
1.Introduction and overview. Kevin O’DONNELL, Strathclyde, UK.
2.Theoretical background. Robert JONES, Exeter and Benjamin HOURAHINE, Strathclyde, UK.
3.In-situ doping of MBE III-N: RE epilayers. Andrew STECKL and John ZAVADA, Nanolab Cincinatti, USA.
4.RE implantation and annealing of III-Nitrides. Katharina LORENZ and Eduardo ALVEZ, ITN Lisbon, Portugal.
5.Lattice location studies of RE impurities in III-Nitrides. Andre VANTOMME, IKS Leuven, Belgium.
6.Microscopic characterisation of luminescent III-N:RE epilayers. Robert MARTIN, Strathclyde, UK
7.High-resolution optical studies of site multiplicity in III-N:RE. Volkmar DIEROLF, Lehigh, USA.
8.RE-doped III-N quantum dots. Bruno DAUDIN, Grenoble, France.
9.Excitation model for RE ions in solids. Alain BRAUD and Pierre RUTERANA, Caen, France.
10.III-N:RE electroluminescence. Andrew STECKL and John ZAVADA, Nanolab Cincinatti, USA.
11.RE-doped III-N for spintronics applications. Oliver BRANDT, PDI Berlin, Germany.
12.Summary and prospects for future work. Kevin O’DONNELL, Strathclyde, UK.
Erscheint lt. Verlag | 28.6.2010 |
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Reihe/Serie | Topics in Applied Physics | Topics in Applied Physics |
Zusatzinfo | XVI, 355 p. |
Verlagsort | Dordrecht |
Sprache | englisch |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Optik |
Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Quantenphysik | |
Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
Technik ► Maschinenbau | |
Schlagworte | Development • Material • non-destructive testing • quantum dot • semiconductor • Spintronics |
ISBN-10 | 90-481-2877-3 / 9048128773 |
ISBN-13 | 978-90-481-2877-8 / 9789048128778 |
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Größe: 23,7 MB
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