Mikroelektronische Speicher

Speicherzellen, Schaltkreise, Systeme

Dietrich Rhein, Heinz Freitag (Autoren)

Buch | Softcover

XII, 274 Seiten

1992
Springer Wien (Verlag)
978-3-211-82354-5 (ISBN)

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In diesem Buch werden erstmals alle Gesichtspunkte der Halbleiterspeicher von den einzelnen Zellen bis zum Speichersystem einheitlich dargestellt. Es enthält sowohl für den Schaltkreisentwerfer als auch für den Computertechniker Informationen, die sonst nur verstreut in der Zeitschriftenliteratur zu finden sind. Das Buch behandelt den gesamten Komplex der mikroelektronischen Digitalspeicher für die Computertechnik. In den Hauptkapiteln über den Aufbau und die Funktion der Speicherschaltkreise (SRAM, DRAM, ROM, PROM, EPROM, EEPROM) werden die Speicherzellen, die Speichermatrizen, die internen Ansteuerschaltungen sowie externe Steuerung der Speicheroperationen behandelt. Die übrigen Hauptkapitel sind der technischen Realisierung und dem Entwurf von Speicherbaugruppen und Speichern gewidmet, wobei den Fragen der Stromversorgung und Betriebsstromzuführung, der elektrischen und geometrischen Gestaltung der Ansteuerschaltungen, der Worterweiterung, des Refresh (bei DRAM) sowie der Datensicherung und Zuverlässigkeit der Speicher besondere Aufmerksamkeit gewidmet wird. Das Buch ist als Nachschlagewerk und Vertiefungslektüre für Hochschuldozenten und Praktiker, aber auch als Lehrbuch für Studierende an Universitäten, Hochschulen und Fachhochschulen bzw. HTL geeignet.

1 Einleitung.- 2 Übersicht über die mikroelektronischen Speicherschaltkreise.- 2.1 Definitionen und Typen.- 2.2 Speicherschaltkreise.- 2.3 Trends bei Speicherschaltkreisen.- 2.4 Anwendungen mikroelektronischer Speicher.- 3 Schaltungstechnische Grundlagen.- 3.1 MOS-Schaltungstechnik.- 3.2 Bipolare Schaltungstechnik.- 3.3 BICMOS-Schaltungstechnik.- 4 Schreib-Lese-Speicherschaltkreise (RAM).- 4.1 MOS-SRAM.- 4.2 Bipolare SRAM.- 4.3 Entwicklungsrichtungen bei SRAM-Schaltkreisen.- 4.4 MOS-DRAM.- 4.5 Probleme des Entwurfs von Megabit-DRAMs.- 5 Festwertspeicher-Schaltkreise (ROM).- 5.1 Allgemeines und Übersicht.- 5.2 Maskenprogrammierte ROM.- 5.3 Einmalig elektrisch programmierbare ROM (PROM).- 5.4 Elektrisch programmierbare und durch UV-Licht löschbare ROM (EPROM).- 5.5 Elektrisch programmierbare und löschbare ROM (EEPROM).- 5.6 Nichtflüchtige RAM.- 6 Technische Realisierung von Speichern.- 6.1 Allgemeine Überlegungen.- 6.2 Stromversorgung des Speichers.- 6.3 Ansteuerung der Speichermatrix.- 6.4 Geometrischer Aufbau einer Speicherleiterkarte.- 7 Entwurf von Speicherbaugruppen und Speichern.- 7.1 ROM-Speicher.- 7.2 SRAM-Speicher.- 7.3 DRAM-Speicher.- 7.4 Maßnahmen zur Datensicherung im Speicher.- 8 Ausblick: Integration von Speichern und Logik.- 8.1 Übersicht.- 8.2 Inhaltsadressierte Speicher.- 8.3 Speicherung in Parallelprozessorsystemen.- Anhang: Verlustleistungsberechnung für den DRAM-Basisspeichermodul nach Abschnitt 6.3.2.1.- Sachwortverzeichnis.

Erscheint lt. Verlag	30.3.1992
Zusatzinfo	XII, 274 S.
Verlagsort	Vienna
Sprache	deutsch
Maße	170 x 244 mm
Gewicht	534 g
Themenwelt	Mathematik / Informatik ► Informatik ► Theorie / Studium
	Informatik ► Weitere Themen ► Hardware
	Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte	Algorithmen • CMOS • Computer • Computer-Aided Manufacturing (CAM) • Datenspeicher • DRAM • Kondensator • Logik • Mikroelektronik • Schaltkreise • Schaltung • Schaltungstechnik • SRAM • Standard • Steuerung • Widerstand • Zuverlässigkeit
ISBN-10	3-211-82354-9 / 3211823549
ISBN-13	978-3-211-82354-5 / 9783211823545
Zustand	Neuware