Modellierung des Durchbruchverhaltens von Si-/SiGe-Bipolartransistoren in schnellen integrierten Schaltungen
Seiten
2005
|
1., Aufl.
Shaker (Verlag)
978-3-8322-4071-4 (ISBN)
Shaker (Verlag)
978-3-8322-4071-4 (ISBN)
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| Reihe/Serie | Berichte aus der Elektrotechnik |
|---|---|
| Sprache | deutsch |
| Maße | 148 x 210 mm |
| Gewicht | 315 g |
| Einbandart | Paperback |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | HC/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik • Simulation |
| ISBN-10 | 3-8322-4071-3 / 3832240713 |
| ISBN-13 | 978-3-8322-4071-4 / 9783832240714 |
| Zustand | Neuware |
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