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Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide -

Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide (eBook)

Materials, Properties and Devices
eBook Download: PDF | EPUB
2019 | 1. Auflage
570 Seiten
Elsevier Science (Verlag)
978-0-08-102431-7 (ISBN)
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Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices covers all aspects relating to the structural and electrical properties of HfO2 and its implementation into semiconductor devices, including a comparison to standard ferroelectric materials. The ferroelectric and field-induced ferroelectric properties of HfO2-based films are considered promising for various applications, including non-volatile memories, negative capacitance field-effect-transistors, energy storage, harvesting, and solid-state cooling. Fundamentals of ferroelectric and piezoelectric properties, HfO2 processes, and the impact of dopants on ferroelectric properties are also extensively discussed in the book, along with phase transition, switching kinetics, epitaxial growth, thickness scaling, and more. Additional chapters consider the modeling of ferroelectric phase transformation, structural characterization, and the differences and similarities between HFO2 and standard ferroelectric materials. Finally, HfO2 based devices are summarized. - Explores all aspects of the structural and electrical properties of HfO2, including processes, modelling and implementation into semiconductor devices - Considers potential applications including FeCaps, FeFETs, NCFETs, FTJs and more - Provides comparison of an emerging ferroelectric material to conventional ferroelectric materials with insights to the problems of downscaling that conventional ferroelectrics face
Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices covers all aspects relating to the structural and electrical properties of HfO2 and its implementation into semiconductor devices, including a comparison to standard ferroelectric materials. The ferroelectric and field-induced ferroelectric properties of HfO2-based films are considered promising for various applications, including non-volatile memories, negative capacitance field-effect-transistors, energy storage, harvesting, and solid-state cooling. Fundamentals of ferroelectric and piezoelectric properties, HfO2 processes, and the impact of dopants on ferroelectric properties are also extensively discussed in the book, along with phase transition, switching kinetics, epitaxial growth, thickness scaling, and more. Additional chapters consider the modeling of ferroelectric phase transformation, structural characterization, and the differences and similarities between HFO2 and standard ferroelectric materials. Finally, HfO2 based devices are summarized. - Explores all aspects of the structural and electrical properties of HfO2, including processes, modelling and implementation into semiconductor devices- Considers potential applications including FeCaps, FeFETs, NCFETs, FTJs and more- Provides comparison of an emerging ferroelectric material to conventional ferroelectric materials with insights to the problems of downscaling that conventional ferroelectrics face
Erscheint lt. Verlag 27.3.2019
Sprache englisch
Themenwelt Naturwissenschaften Chemie Physikalische Chemie
Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Technik Maschinenbau
ISBN-10 0-08-102431-2 / 0081024312
ISBN-13 978-0-08-102431-7 / 9780081024317
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