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Defekte in III-V Halbleitermaterialien des GaInAsP-Systems

(Autor)

Buch | Softcover
130 Seiten
2023
Fraunhofer Verlag
978-3-8396-1939-1 (ISBN)

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Defekte in III-V Halbleitermaterialien des GaInAsP-Systems - Robin Lang
CHF 117,60 inkl. MwSt
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Auf dem Weg zu einer erfolgreichen Energiewende kommt der Photovoltaik eine bedeutende Rolle zu. Die größte Verbreitung in diesem Bereich weisen Silizium-Solarzellen auf, die als Massenprodukt zu vergleichsweise geringen Kosten hergestellt werden, aber in ihrer Effizienz auf unter 30 % limitiert sind. Deutlich höhere Wirkungsgrade lassen sich mit Mehrfachsolarzellen aus III-V-Halbleitern erzielen, die bereits Effizienzen bis 47 % erreicht haben.
In dieser Arbeit wurden Untersuchungen zu Materialeigenschaften der dabei verwendeten III-V Halbleiterverbindungen durchgeführt. Insbesondere wurde die GaAs-Wachstumsrate mittels MOVPE von 4 auf 280 µm/h erhöht, wodurch der Solarzellenabsorber in unter 2 statt über 45 Minuten abgeschieden werden konnte. Eine mit 100 µm/h abgeschiedene GaAs-Solarzelle erreichte fast 96 % der Effizienz einer langsam gewachsenen Referenz. Zusätzlich wurde die Eignung von GaInAsP als Material für Weltraumsolarzellen untersucht, wobei sich n-GaInAsP mit hohem InP-Gehalt als vielversprechend herausgestellt hat.
Erscheinungsdatum
Reihe/Serie Solare Energie- und Systemforschung / Solar Energy and Systems Research
Zusatzinfo zahlr. meiist farb. Abb u. Tab.
Verlagsort Stuttgart
Sprache deutsch
Maße 148 x 210 mm
Themenwelt Naturwissenschaften Physik / Astronomie Angewandte Physik
Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte B • Halbleiterverbindungen • Ingenieure, Physiker • Mehrfachsolarzellen • Photovoltaik
ISBN-10 3-8396-1939-4 / 3839619394
ISBN-13 978-3-8396-1939-1 / 9783839619391
Zustand Neuware
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