Halbleiterprobleme
In Referaten des Halbleiterausschusses des Verbandes Deutscher Physikalischer Gesellschaften Mainz 1955
Seiten
2014
|
1956
Springer Berlin (Verlag)
978-3-662-16111-1 (ISBN)
Springer Berlin (Verlag)
978-3-662-16111-1 (ISBN)
Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.
Erscheint lt. Verlag | 23.8.2014 |
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Reihe/Serie | Advances in Solid State Physics |
Zusatzinfo | VII, 280 S. |
Verlagsort | Berlin |
Sprache | deutsch |
Maße | 170 x 244 mm |
Gewicht | 507 g |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Atom- / Kern- / Molekularphysik |
Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Festkörperphysik | |
Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Thermodynamik | |
Schlagworte | Halbleiter |
ISBN-10 | 3-662-16111-7 / 3662161117 |
ISBN-13 | 978-3-662-16111-1 / 9783662161111 |
Zustand | Neuware |
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